近年來，全球能源危機日益加劇，常規能源已經無法滿足世界經濟發展的需求，太陽能作為一種重要的可再生綠色能源受到世界各國的青睞。太陽能半導體照明系統集成了半導體和太陽能資源的優勢，有效提高了照明效率和綠色節能性，在實際應用中應加大對太陽能半導體照明系統的分析研究，充分發揮太陽能半導體照明系統優勢。

太陽能半導體器件特性概述

太陽能半導體主要由光學系統、電極、PN結芯片等組成，晶片發光體面積約0.025平方毫米，整個發光過程經歷三個階段：在正向偏壓條件下注入載流子；光能傳輸；復合輻射。在環氧樹脂物中封裝半導體晶片，電子流過晶片時，帶正電的電子和帶負電的電子在空穴區域復合，空穴和電子消失產生光子，光子能量與空穴、電子之間的帶隙成正比，光顏色和光子能量相對應，根據可見光頻譜分析，紅色光和桔色光的光能量最少，紫色光和藍色光的光能量最多。

隨著封裝技術、材料技術的快速發展，綠色LED光效約50lm/W，橙色和紅色LED光效100lm/W，LED的全色化、超高亮度和高效化特點，其應用范圍越來越廣泛，特別是在戶外照明系統中應用效果較好。LED在色度方面實現了所有的可見光，尤其是超高亮度白光LED的涌現，推動了照明光源的快速發展。

一般情況下，光強1cd是高亮度LED和普通LED的分界點，GalnAs、AIlnGaP和A1GaAs材料主要用于加工高亮度LED，其中高亮度紅光LED采用A1GaAs材料，高亮度黃綠、黃、橙和紅LED采用AIlnGaP，高亮度紫、藍和深綠LED采用GalnAs。