雖然使用壽命可以長達50000小時以上，但LED對于溫度和電過應力十分敏感，而且它們的動態阻抗特性經常會給開關穩壓器組件的選擇和控制環路的設計提出難題。這份操作說明書中對這些選擇和設計難題進行了說明。按照這種方法開發出了圖4中顯示的電路仿真來分析LED驅動器/保護電路的復雜程度，并在各種不同的工作條件下預測電路運行方式。
為這項分析所選擇的PWM控制器具有一個0.26V的反饋基準電壓。所以，LED電流為1A時，LED感測電阻器的功率耗散只有0.26W。由于CSM具有值為50的增益，就需要一個小很多的感測電阻器來感測輸出電流。當流經CSM分流電阻器的電流超過CSM感測電阻器設定的限值時，CSM增益和比較器閥值 （R， R），PMOS導通晶體管中斷負載電流—從而發揮電子斷路器的作用。
可通過將RESET引腳切換為低電平來復位鎖存輸出。然而，考慮到這篇文章的目的，RESET已經被禁用，以檢驗響應速度。響應速度和峰值電流取決于很多變量。這些變量包括組件選擇、CSM帶寬、噪聲濾波器、輸出電容、FET選擇、和輸出升壓電感器。這些因素和在一起會影響轉換器的輸出阻抗。為了準確評估運行方式，我們曾以50ns的最大時間步進和設定為0.001%的直流相對容限運行仿真。此分析在TINA-TI，一款免費的Berkeley SPICE 3f5兼容仿真器中運行。工作頻率300kHz的升壓轉換器的5ms仿真在僅僅30秒以內即可啟動至穩定狀態。
將CSM放置在何處
CSM可被放置在升壓轉換器的輸入或輸出上。在這個模擬中，CSM被放置在輸出上，它通過與輸出PMOS導通元件 （T5） 相并聯的10 mΩ分流電阻器來感測電流。根據CSM的放置位置，此電路可以防止內部和/或外部短路情況。然而，CSM必須被設計成在所有工作條件下均具有足夠共模范圍 （CMR）。
如果放置在升壓轉換器的輸入上，可選擇具有較低CMR的CSM。然而，將CSM放置在輸出上可以避開升壓電感器，并且有助于加快對短路情況的反應時間。無論將CSM放置在何處，都應該使用一個RC濾波器來衰減那些會由于分流電阻器的突然di/dt事件而出現的噪聲和諧振振鈴。一個小型100電阻器和差分電容器可被置入比估計的分流器Lp/R時間常量大3倍的時間常量，其中Lp是寄生并聯電感。由于CSM的增益誤差和帶寬受到噪聲濾波器的負面影響，保持濾波器的低值很重要。
模擬結果
圖5展示了模擬結果。Vg是到PMOS FET的控制電壓，并在正常情況下被設定為-6V。需要根據FET的閥值電壓、柵極電荷、和飽和特性進行優化。最大限度地減小柵極上的電壓可以改進反應時間，并且應該選擇上拉電阻器來盡可能地縮短中斷周期。需要注意的是，輸入電流和柵極電壓用高柵極電荷（紫色），和低柵極電荷（藍色）MOSFET顯示。
為這項分析所選擇的PWM控制器具有一個0.26V的反饋基準電壓。所以，LED電流為1A時，LED感測電阻器的功率耗散只有0.26W。由于CSM具有值為50的增益，就需要一個小很多的感測電阻器來感測輸出電流。當流經CSM分流電阻器的電流超過CSM感測電阻器設定的限值時，CSM增益和比較器閥值 （R， R），PMOS導通晶體管中斷負載電流—從而發揮電子斷路器的作用。
可通過將RESET引腳切換為低電平來復位鎖存輸出。然而，考慮到這篇文章的目的，RESET已經被禁用，以檢驗響應速度。響應速度和峰值電流取決于很多變量。這些變量包括組件選擇、CSM帶寬、噪聲濾波器、輸出電容、FET選擇、和輸出升壓電感器。這些因素和在一起會影響轉換器的輸出阻抗。為了準確評估運行方式，我們曾以50ns的最大時間步進和設定為0.001%的直流相對容限運行仿真。此分析在TINA-TI，一款免費的Berkeley SPICE 3f5兼容仿真器中運行。工作頻率300kHz的升壓轉換器的5ms仿真在僅僅30秒以內即可啟動至穩定狀態。
將CSM放置在何處
CSM可被放置在升壓轉換器的輸入或輸出上。在這個模擬中，CSM被放置在輸出上，它通過與輸出PMOS導通元件 （T5） 相并聯的10 mΩ分流電阻器來感測電流。根據CSM的放置位置，此電路可以防止內部和/或外部短路情況。然而，CSM必須被設計成在所有工作條件下均具有足夠共模范圍 （CMR）。
如果放置在升壓轉換器的輸入上，可選擇具有較低CMR的CSM。然而，將CSM放置在輸出上可以避開升壓電感器，并且有助于加快對短路情況的反應時間。無論將CSM放置在何處，都應該使用一個RC濾波器來衰減那些會由于分流電阻器的突然di/dt事件而出現的噪聲和諧振振鈴。一個小型100電阻器和差分電容器可被置入比估計的分流器Lp/R時間常量大3倍的時間常量，其中Lp是寄生并聯電感。由于CSM的增益誤差和帶寬受到噪聲濾波器的負面影響，保持濾波器的低值很重要。
模擬結果
圖5展示了模擬結果。Vg是到PMOS FET的控制電壓，并在正常情況下被設定為-6V。需要根據FET的閥值電壓、柵極電荷、和飽和特性進行優化。最大限度地減小柵極上的電壓可以改進反應時間，并且應該選擇上拉電阻器來盡可能地縮短中斷周期。需要注意的是，輸入電流和柵極電壓用高柵極電荷（紫色），和低柵極電荷（藍色）MOSFET顯示。
