隨著紅外探測技術的飛速發(fā)展，熱偽裝與紅外隱身技術/材料引起了廣泛關注。紅外探測的工作原理是通過捕捉物體發(fā)射的中紅外波段(7~14 μm)紅外線，然后成像識別物體。通常來講，熱偽裝是通過減小物體與環(huán)境的紅外熱輻射差異來實現(xiàn)的。根據(jù)斯蒂芬-玻爾茲曼定律：P=εσT4，其中，P為熱輻射能量，σ是玻爾茲曼常數(shù)，ε是物體表面紅外發(fā)射率，T是熱力學溫度。物體的熱輻射能量直接由其ε和T4決定。可見，實現(xiàn)高溫物體的熱偽裝具有更大的挑戰(zhàn)性。目前，已經(jīng)有大量關于熱偽裝材料的報道，但其依然具有以下缺點：（1）相變材料的使用溫度相對較低；（2）氣凝膠或泡沫等隔熱材料厚度較大；（3）金屬薄膜或涂層雖然具有較低的紅外發(fā)射率，但易腐蝕、密度大且難加工；（4）光子晶體等超材料制備工藝復雜、成本高。目前，利用超薄薄膜或涂層實現(xiàn)高溫物體的熱偽裝仍然是一個巨大挑戰(zhàn)。

近日，鄭州大學材料學院王建峰副教授和王萬杰教授團隊率先報道了Ti3C2Tx MXene的紅外低發(fā)射特性（7~14 μm波段范圍內發(fā)射率為0.19），與不銹鋼薄膜相當，遠低于石墨烯、氧化石墨烯以及納米蒙脫土等二維材料。在較寬的溫度范圍內（-10 ℃到500 ℃），1 μm厚的超薄柔性MXene薄膜以及超薄MXene涂層展現(xiàn)出優(yōu)異的、長時間穩(wěn)定的室內/室外熱偽裝性能，能使500℃高溫物體的輻射溫度降低300℃以上，優(yōu)于已報道的熱偽裝薄膜/涂層材料。同時，MXene薄膜/涂層具有優(yōu)異的可熱偽裝的電加熱和高效的電磁波屏蔽性能。該論文為基于超薄薄膜/涂層材料實現(xiàn)高溫物體的熱偽裝提供了有效策略，展示了MXene材料在熱偽裝、紅外隱身、輻射加熱、紅外信號傳輸、安全防護等領域的巨大應用潛力。該研究以“Ultrathin Titanium Carbide (MXene) Films for High-Temperature Thermal Camouflage” 為題發(fā)表在最新一期的《Advanced Functional Materials》上（DOI:10.1002/adfm.202101381）。

圖1. 圖文摘要

圖2.（a）熱偽裝原理示意圖；（b）MXene納米片的TEM圖；（c）MXene薄膜的電子照片；（d，e）MXene薄膜斷面的SEM圖；（f）MXene等不同材料的紅外發(fā)射率

圖3. 不同厚度MXene薄膜的室內/室外熱偽裝性能

將MXene薄膜放置在不同溫度的物體上，當目標物體輻射溫度為510.9 ℃時，29 μm厚MXene薄膜的表面輻射溫度為196.4 ℃，將目標物體的輻射溫度降低了314.5 ℃。此外，隨著MXene薄膜厚度的減小，放置在同一高溫目標物體上的MXene薄膜的輻射溫度逐漸升高。但即便厚度低至1 μm時，MXene薄膜依然表現(xiàn)出優(yōu)異的熱偽裝性能，可以將高溫目標物體（510.9 ℃）的輻射溫度降低近300 ℃。同時，在室外環(huán)境（9 ℃）中，MXene薄膜的熱偽裝性能要優(yōu)于其室內環(huán)境中的熱偽裝性能，當目標物體的輻射溫度分別為514 ℃，29 μm厚的MXene薄膜的輻射溫度為170.3 ℃。

圖4. MXene薄膜的高溫熱偽裝穩(wěn)定性

MXene薄膜的高溫熱偽裝性能具有長時間高溫穩(wěn)定性。將29 μm厚的MXene薄膜放置在510.9 ℃的目標物體上10 h，MXene薄膜的輻射溫度沒有發(fā)生較大變化，隨后將加熱10 h后的MXene薄膜放在酒精燈下燃燒180 s后再放置在高溫目標物體上，其仍具有良好的熱偽裝性能。MXene薄膜經(jīng)過不同溫度的退火后，仍能保持相對較好的高溫熱偽裝性能。此外，在500 ℃下進行了5 天的老化實驗表明，隨著老化天數(shù)的增加，MXene薄膜的熱偽裝性能逐漸變差，但5 天后仍能保持相對較好的高溫熱偽裝性能。

圖5. MXene薄膜熱偽裝性能與其他材料對比

MXene薄膜的熱偽裝性能幾乎與不銹鋼薄膜媲美，并且優(yōu)于包括石墨烯在內的其他的二維材料。同時，本文制備的超薄MXene薄膜的熱偽裝性能優(yōu)于目前絕大多數(shù)已報道的熱偽裝材料或熱偽裝系統(tǒng)，特別是當厚度低于10 μm時。

圖6. MXene薄膜的熱偽裝應用