移動數據使用量的迅猛增長，要求網絡系統支持更大的容量和更高的數據傳輸速率。而如何加快移動網絡向先進網絡架構轉型的速度，對移動回程線路(backhaul)基礎設施是一個新的挑戰，例如異構網絡(Heterogeneous Network)與云端無線接入網絡(RAN, Radio Access Network)，其中更高頻段(例如E-band[2])可提供更大帶寬，以支持更快的數據傳輸通道。
建設這些超高效率的移動網絡，設備廠商需要擁有高性能且低功耗、低成本的大規模集成電路電子元器件。E3NETWORK項目利用意法半導體的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工藝，開發出55納米的Ft高達320GHz的異質雙極晶體管(HBT, Heterojunction Bipolar Transistors)。這項制造工藝準許在一顆芯片上集成高頻模擬模塊與高性能、高容量的數字模塊，例如邏輯電路、AD/DA轉換器和存儲器。
E3NETWORK項目采用意法半導體的BiCMOS55制造，目前正在研發一個集成化的E-band收發器，用于去程線路(Fronthaul)和回程線路基礎設施，以實現數字多層調制，及高度聚焦的筆形波束(Pencil-beam)傳輸，數據速率可高達10Gbps。筆形波束的屬性有助于提高回程線路和去程線路頻率再用率，同時在毫米波(millimeter-wave)間隔期間保護頻譜利用率(Spectrum efficiency)不受影響。
建設這些超高效率的移動網絡，設備廠商需要擁有高性能且低功耗、低成本的大規模集成電路電子元器件。E3NETWORK項目利用意法半導體的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工藝，開發出55納米的Ft高達320GHz的異質雙極晶體管(HBT, Heterojunction Bipolar Transistors)。這項制造工藝準許在一顆芯片上集成高頻模擬模塊與高性能、高容量的數字模塊，例如邏輯電路、AD/DA轉換器和存儲器。
E3NETWORK項目采用意法半導體的BiCMOS55制造，目前正在研發一個集成化的E-band收發器，用于去程線路(Fronthaul)和回程線路基礎設施，以實現數字多層調制，及高度聚焦的筆形波束(Pencil-beam)傳輸，數據速率可高達10Gbps。筆形波束的屬性有助于提高回程線路和去程線路頻率再用率，同時在毫米波(millimeter-wave)間隔期間保護頻譜利用率(Spectrum efficiency)不受影響。
