電子元件特性測(cè)試的強(qiáng)大工具

GSM-20H10源表

源表（SMU）是一種用于電子測(cè)試和測(cè)量的通用儀器。源表將電源，負(fù)載，數(shù)字萬用表，電流源和電壓源的功能結(jié)合于一體，同時(shí)能夠產(chǎn)生和測(cè)量電壓和電流，因此，它是測(cè)試和表征電子元件和電路的理想選擇。源表在半導(dǎo)體測(cè)試、材料科學(xué)和電子器件開發(fā)等領(lǐng)域的工程師和研究人員中很受歡迎。

源表的應(yīng)用包括特性測(cè)試（二極管、太陽能電池、MOSFET）、電池充放電測(cè)試、精確的低電阻測(cè)量、高電阻測(cè)量和LED熱阻測(cè)量。在本文中，我們將簡(jiǎn)要介紹二極管、太陽能電池和MOSFET的特性測(cè)試。

典型的LED和二極管V-I特性測(cè)試包括正向偏置和反向偏置。對(duì)于正向偏置測(cè)試，源表輸出一個(gè)正電壓，同時(shí)使用四線測(cè)量來實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的電壓測(cè)量。

對(duì)于反向偏置測(cè)試，源表輸出負(fù)電壓，并且它的低電流測(cè)量功能可以實(shí)現(xiàn)漏電流和擊穿電壓測(cè)量。

在太陽能電池V-I特性測(cè)試中，源表充當(dāng)電子負(fù)載，使用四線制方式來測(cè)量短路電流、V-I曲線和開路電壓。V-I曲線的電壓和電流乘積產(chǎn)生了功率曲線。最大功率點(diǎn)PMP出現(xiàn)在曲線轉(zhuǎn)折點(diǎn)上，該點(diǎn)也定義了最大功率電流和最大電壓。

MOSFET特性測(cè)試包括漏極曲線、閾值電壓、跨導(dǎo)率、柵極漏電流、漏極漏電流和擊穿電壓。有些測(cè)試需要兩個(gè)源表。以下是一些測(cè)試曲線。