由于目前的硅基芯片已很難進一步縮小，研究人員試圖利用只有3個原子厚的單層材料取代硅芯片，石墨烯成為這類材料的首選。不過，石墨烯有個致命弱點，沒有導電性，不能用來生產電路的核心部件晶體管。二硫化鉬因其良好導電性及超薄性成為研究人員的新寵。

但三明治結構二硫化鉬在規模化生產中遇到難題：3個原子厚的二硫化鉬無法鋪展成制作芯片所需的拇指大小晶體，其困難程度如同用一張薄紙鋪滿整個斯坦福校園。

該校電子工程學副教授艾瑞克·波普團隊現在解決了這一難題。他們利用化學蒸氣沉積工藝，通過加熱讓少量硫原子和鉬原子蒸發，再讓其沉積到玻璃或硅基底物上形成超薄晶體層，最后成功將三個原子厚的二硫化鉬鋪展成1.5毫米寬的晶體，其寬度是單原子厚度的2500萬倍。

只有將電路蝕刻進材料中，才能證明芯片可規模化生產。為此，波普團隊用標準蝕刻工具將斯坦福大學校標刻進芯片原型中，更有趣的是，他們還在美國總統大選期間，將兩位候選人的納米級頭像刻進原子薄層芯片。

研究團隊下一步將集中精力對新方法進行改進，以增強二硫化鉬在集成芯片中的一致性，并最終規模化生產實用電路。“我們認為，可以做到將二硫化鉬直接集成到硅基上，垂直構建出立體微芯片，取代傳統平面結構的芯片。”波普說，“這種立體芯片和電路更適合用在三維節能建筑中。而且二硫化鉬是一種透明、可彎曲材料，未來可將窗戶變成電視，或將車頂擋風玻璃變成顯示器。”