三極管主要參數：電流放大系數β，極間反向電流，（集電極最大允許電流，集電極最大允許耗散功率，反向擊穿電壓=3個重要極限參數決定BJT工作在安全區域）。

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因J-FET的Rgs很高，在使用時首先應注意無靜電操作，否則很容易發生柵極擊穿；另外就是在設計電路時應仔細考慮各極限參數，不能超出范圍。將J-FET當做可變電阻使用時應保證器件有正確的偏置，不能使之進入恒流區。

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二射極偏置電路：用于消除溫度對靜態工作點的影響（雙電源更好）。

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三種BJT放大電路比較：共射級放大電路，電流、電壓均可以放大。共集電極放大電路：只放大電流，跟隨電壓，輸入R大，輸出R小，用作輸入級，輸出級。共基極放大電路：只放大電壓，跟隨電流，高頻特性好。

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去耦電容：輸出信號電容接地，濾掉信號的高頻雜波。旁路電容：輸入信號電容接地，濾掉信號的高頻雜波。交流信號針對這兩種電容處理為短路。

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MOS-FET在使用中除了正確選擇參數以及正確的計算外，最值得強調的仍然是防靜電操作問題，在電路調試、焊接、安裝過程中，一定要嚴格按照防靜電程序操作。

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主流是從發射極到集電極的IC，偏流就是從發射極到基極的Ib。相對與主電路而言，為基極提供電流的電路就是所謂的偏置電路。

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場效應管三個鋁電極：柵極g，源極s，漏極d。分別對應三極管的基極b，發射極e，集電極c。<源極需要發射東西嘛，所以對應發射極e，柵極的英文名稱是gate,門一樣的存在，和基極的作用差不多>其中P型襯底一般與柵極g相連。

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增強型FET必須依靠柵源電壓Vgs才能起作用（開啟電壓Vt），耗盡型FET則不需要柵源電壓，在正的Vds作用下，就有較大的漏極電流流向源極（如果加負的Vgs，那么可能出現夾斷，此時的電壓成為夾斷電壓Vp***重要特性***：可以在正負的柵源電壓下工作）

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N溝道的MOS管需要正的Vds（相當于三極管加在集電極的Vcc）和正的Vt（相當于三極管基極和發射極的Vbe），而P溝道的MOS管需要負的Vds和負的Vt。

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VMOSFET有高輸入阻抗、低驅動電流；開關速度塊、高頻特性好；負電流溫度系數、無熱惡性循環，熱穩定型優良的優點。

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運算放大器應用時，一般應用負反饋電流。

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差分式放大電路：差模信號：兩輸入信號之差。共模信號：兩輸入信號之和除以2。由此：用差模與共模的定義表示兩輸入信號可得到一個重要的數學模型：任意一個輸入信號=共模信號±差模信號/2。

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差分式放大電路只放大差模信號，抑制共模信號。利用這個特性，可以很好的抑制溫度等外界因素的變化對電路性能的影響。具體的性能指標：共模抑制比Kcmr。

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二極管在從正偏轉換到反偏的時候，會出現較大的反向恢復電流從陰極流向陽極，其反向電流先上升到峰值，然后下降到零。

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