7月28至30日，全國半導體真空科學儀器暨第三屆全國銻化物半導體與光機電系統集成大會在山西省晉城召開。本屆大會在國家自然科學基金委、科技部高技術中心、山西省政府的共同指導下召開；大會還得到山西省晉城市委、市政府的大力支持。

本次會議是繼2019年第二屆“全國銻化物半導體技術創新與應用發展”大會后的第三屆會議，由中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊發起。

沈學礎、陳良惠、范守善、祝世寧、雒建斌、劉明、彭練矛、張躍等學者到場，與各位參會專家、地方領導、企商代表就銻化物半導體基礎材料、光電器件、系統集成技術、半導體真空科學儀器進行了深入交流；對相關領域的技術迭代、發展路徑、現實困境等問題進行了全方位探討。

學者代表認為：銻化物半導體材料經過近些年的迅猛發展，已搶占下一代半導體器件技術的發展先機，為紅外光電器件技術體系變革提供了新的戰略方向；半導體真空科學儀器設備自主制造迎來重大機遇。

自二十一世紀初，銻化物半導體納米低維結構外延材料技術實現重大突破，促使紅外光電器件技術迅猛發展。對比傳統紅外光電材料，銻化物低維結構材料可以覆蓋大部分紅外譜段，芯片制造技術適用于先進的III-V族半導體制造平臺技術，使得光電器件技術性能，特別是紅外焦平面探測器技術實現前所未有的突破。

短短數十年，銻化物半導體光電材料和器件技術“已經走出實驗室”，為空間遙感、激光與衛星通信、危化品及環境監測檢測、成像制導夜視、生物醫學診斷等高端光電系統或裝備，提供高性能核心器件技術支撐。

由此，提速國產化進程，實現半導體設備的自主創新、國產替代；構建完整的半導體產業鏈、形成良性生態，已經成為中國半導體行業的普遍共識。

目前，中國在半導體科技研究領域涉及面廣，科研水平日益提高，部分領域已與世界水平持平；科研投入量大，在規模上稱得上是半導體大國，但仍存在軟件工具、硬件設備對外依賴，成果轉化與產業應用脫節等問題。唯有協同努力，開拓半導體科技創新發展之路，全面提振內在實力，才能逐步擺脫封鎖，享有國際話語權。