上海華虹宏力半導體制造有限公司（“華虹宏力”）作為全球領先的200mm純晶圓代工廠，在上海擁有3條200mm生產線，月產能約17萬片，工藝節點覆蓋1.0微米至90納米，200mm晶圓制造能力在中國名列前茅。其前身為久負盛名的上海華虹NEC和上海宏力半導體，作為“909”工程的載體，華虹宏力的發展可謂中國晶圓代工的一面旗幟。
近日，華虹宏力執行副總裁范恒先生接受了記者的采訪，他表示，“在嵌入式非易失性存儲器、電源管理、功率器件、標準邏輯及射頻（RF）、模擬和混合信號等領域，華虹宏力已形成頗具競爭力的先進工藝平臺。現在，除了繼續鞏固上述領先的特色工藝，我們還有足夠的能力在差異化需求中找到新的高成長市場，公司在物聯網、汽車電子、綠色能源等應用領域重點突進，持續創造新的利潤增長點。”
據范恒先生介紹，從現有營收情況看，以智能卡和微控制器（MCU）應用為主的嵌入式非易失性存儲器工藝平臺的銷售額占比超過公司年營收的三分之一。為此，華虹宏力在保持智能卡市場競爭優勢的同時，也在積極深入更多前景向好、適合公司未來發展的新興市場。現在公司已經積極布局物聯網引領的MCU市場，同時，功率半導體和高壓器件也是華虹宏力主要的業務增長點。
穩固嵌入式存儲器及功率器件技術優勢
華虹宏力擁有業界領先的嵌入式非易失性存儲器技術，包括SonOS Flash和SuperFlash技術，以及eFlash+高壓和eFlash+射頻兩個衍生工藝平臺。還可為客戶提供高性能、高密度的標準單元庫，并可根據客戶需求定制高速度、低功耗、超低靜態功耗的嵌入式閃存（Flash）IP、嵌入式電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）IP。華虹宏力是世界第一大智能卡IC代工廠，采用公司eNVM技術制造的金融IC卡芯片產品分別通過了EMVCo、CC EAL5+、萬事達CQM認證等多項國際權威認證。隨著90納米eNVM工藝的成功量產，華虹宏力的智能卡產能正逐步導入到90納米平臺。
萬物互聯時代，MCU不斷推陳出新，為順應市場需求，華虹宏力專為物聯網打造了0.11微米超低漏電（ULL）嵌入式eFlash及eEEPROM工藝平臺，將eNVM技術與CMOS射頻集成及/或高壓技術結合。響應市場對高性價比的呼喚，華虹宏力還推出了95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器，包括eFlash、eEEPROM、OTP工藝平臺，助力客戶在龐大的MCU應用市場提高競爭力。此外，公司還在加速研發95納米的低本高效MTP（Multiple-Time Programming）工藝平臺。
在生產功率器件方面，華虹宏力擁有15年的歷史，是業內首個擁有深溝槽超級結（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）及場截止型IGBT（Field Stop，FS IGBT）工藝平臺的200mm晶圓代工廠。高效能的功率半導體器件是降低功耗的關鍵，已引起了半導體產業的矚目，華虹宏力的布局不可謂不充分。“我們致力于為客戶提供更高端的功率器件技術解決方案，公司現已推出第三代DT-SJ工藝平臺，每單元區域導通電阻（Rsp）為1.2ohm.mm2，技術參數達業界一流水平。”范恒先生說，“華虹宏力還是國內唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工廠，能為綠色能源應用提供從低功率到高功率的全系列解決方案。”目前，華虹宏力的功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓。
深度拓展射頻和電源管理IC市場
RF SOI是絕緣體上硅（SOI）技術的RF版本，該工藝利用了內置隔離襯底的高電阻率特性。RF SOI在應用上有幾個比較明顯的優勢，一是它的設計周期短，且簡單易用。最主要的是它能做到較低功耗。現在，智能手機、WiFi等無線通信設備中的射頻器件絕大多數都使用了RF SOI制造工藝。華虹宏力推出的0.2微米射頻SOI工藝設計套件（PDK），非常利于工程師提高設計流程效率，從而快速獲得優質的射頻組件，縮短了產品上市時間。范恒先生表示：“接下來公司還將繼續開發射頻相關技術，如0.13微米射頻SOI，以應對智能手機出貨量的持續增長及未來5G移動通信的發展及應用。”
