Intel 3工藝節點帶來的一些重大優勢包括更密集的設計庫、更大的晶體管驅動電流和更多EUV的使用。該節點還有三種變體，包括3-T、3-E 和 3-PT。前兩種變體與Intel 4相比，每瓦性能提升了18%，而PT則帶來了額外的性能并且易于使用。所有四種節點變體都支持240nm高性能和210nm高密度庫。其中，“T”代表硅通孔 (TSV)，這是一種垂直方向的電氣連接，可實現芯片元件之間或堆疊芯片之間的高速互連。
在英特爾看來，Intel 3將在未來至少十年內長期支持代工廠客戶，從而為汽車和物聯網等需要更長生命周期的應用打開大門。Intel 3的生產爬坡不僅僅是一項制造成就，它代表了英特爾代工廠的一個重要里程碑和證明點。
值得一提的是，Intel 3節點是英特爾路線圖上的最后一代FinFET節點，因為從下一代開始，英特爾就開始推出了其GAA晶體管RibbonFET。
在5月的財報電話會議上，Intel CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)指出，公司的第一代GAA RibbonFET工藝，即intel 20A，有望在今年推出；后續產品是intel 18A，預計將于2025年上半年投入生產，并逐步推進至2027年的Intel 10A節點。
英特爾兩大利器分別是RibbonFET和PowerVia技術：RibbonFET是英特爾對GAA晶體管的實現，它將成為英特爾自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構；PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。
在英特爾的規劃中，還將率先采用ASML最新的High-NA EUV光刻機，這也是與競爭對手不同的點。英特爾表示，新工具能夠大幅提高下一代處理器的分辨率和功能擴展能力，使英特爾代工廠能夠在英特爾18A之后繼續保持工藝領先地位。
與此同時，英特爾也在持續加大力度，今年2月公布了Intel 14A制程，采用了High-NA EUV技術，預計最快于2026年量產。而最新的14A-E版本則在14A基礎上進一步提升了能耗效率。
