張欣：如果要做FeFET測試和表征的話，需要有哪些量測方法？

唐老師：FeFET器件很多不同的角度的測試，包括像轉移曲線Id-Vg、讀寫速度、耐久性和保持性的測試，以及還需要在陣列的讀寫功能和串擾問題等方面的一些測試。

轉移曲線（Id-Vg）測試是測量器件在不同柵極電壓下的電流-電壓特性，以評估其開關特性、閾值電壓和存儲能力。讀寫速度測試，用來評估FeFET在實際工作條件下的響應速度。耐久性測試通過反復進行編程和擦寫操作，評估器件的長期穩定性和可靠性。保持性測試測量器件在無偏壓條件下保持存儲狀態的能力。陣列讀寫和串擾測試，用于評估在集成的陣列中，器件之間的相互影響和串擾問題。

張欣：在FeFET的電學表征和測量方面，您有哪些經驗和建議？

唐老師：我們需要精確測量FeFET在快速操作下的電流和電荷，這要求測試設備具備高速度和高精度。我們通常使用AWG、半導體參數分析儀和高帶寬示波器來進行這些測試。

主要涉及四類產品。第一類是任意波形發生器（AWG），用于產生各種測試信號，特別是高速脈沖，用于測量極化翻轉速度等動力學特性；第二類是半導體參數分析儀，如4200A-SCS，用于測量FeFET的基本電學特性，例如Ig-Vd，并搭載源測量單元（SMU）或脈沖測量單元（PMU）進行讀和寫操作，多用于可靠性和保持性的測試；另外，測量非常高速的信號還要用到高帶寬示波器，尤其是當需要表征鐵電材料的動態行為，如亞納秒級別的快速響應時；除了這三項關鍵設備，在進行陣列測試中還需要使用到矩陣開關，以便能夠快速選擇并測試陣列中的單個器件，而不需要手動逐一連接。

總結來說，FeFET的測試和表征需要一系列精密的設備和細致的測試方法，以確保能夠全面評估其電學性能和可靠性。隨著技術的發展和陣列規模的增大，測試過程的自動化將變得越來越重要。

未來商業化仍充滿挑戰

張欣：那像鐵電FeFET目前還是在實驗室處于科研的階段。未來商業化量產可能會在什么樣的時間節點？

唐老師：預測FeFET的商業化時間表存在難度，因為前沿技術和產業發展的不確定性較高。比較近期最有可能實現商業化應用的應該是嵌入式非易失性存儲器（eNVM），盡管現階段市場相對較小，競爭也比較激烈，但長久來看仍可為高性能存儲和新型計算架構提供有力的發展平臺。這類應用比較有希望在5年內實現。除此之外，在相對更加主流的存儲器市場，FeFET還比較有希望應用于NAND型高密度存儲器。鐵電材料的引入可以在三維NAND Flash基礎上，實現存儲密度和讀寫速度的進一步提升。當然現階段NAND型的FeFET仍面臨諸多技術挑戰，包括縮小尺寸后的存儲窗口、耐久性、保持性、一致性等，以及陣列中的串擾問題。對于這一領域，可能需要5到10年的時間實現大規模商業化生產。